Langmuir比表面由單層吸附理論 推導(dǎo)而來，其基本假設(shè)是表面吸附是單分子層的定位吸附，表面是均勻的，吸附層分子間無相互作用；這時有Langmuir吸附等溫方程:
P/V = 1/Vm•b + （1/Vm）•P
其中，P氮?dú)鈮毫Α?V實際吸附量、 Vm單層飽和吸附量、b與吸附熱相關(guān)的常數(shù)。在不同的氮?dú)鈮毫下測出氮的實際吸附量V，用Langmuir方程作圖得到一條直線，該直線的斜率的倒數(shù)即為單層吸附量Vm ，進(jìn)而計算出比表面 ，也稱為Langmuir比表面。Langmuir比表面對于微孔材料具有重要的意義。
Langmuir因他在表面化學(xué)方面的杰出貢獻(xiàn)獲得1932年度諾貝爾化學(xué)獎 。
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